内存涨势难停！DRAM三月暂稳后迎二季度“暴力提价”，三星海力士拟涨超40%
在历经11个月连续上涨后，DRAM（动态随机存取存储器）价格于今年3月暂时企稳。然而，短暂的平静或为更大风暴的前奏——据供应链最新消息，三星电子与SK海力士已正式通知下游客户，计划在二季度将DRAM合约价大幅上调，预计环比涨幅高达40%至45%。
与此同时，NAND闪存价格涨势更为凶猛，已实现连续15个月上涨，今年3月单月环比涨幅达到33.95%，几乎没有放缓迹象。
AI服务器成“涨”的导火索：产能挤兑、供应告急
此轮内存价格持续走高的核心驱动力，来自AI服务器的强劲需求。
以HBM（高带宽内存）为代表的AI专用DRAM产品，正疯狂抢占传统DRAM产能。三大存储原厂（三星、SK海力士、美光）将大部分先进制程产能倾斜至HBM及企业级SSD（固态硬盘）领域，导致DDR4/DDR5及低端NAND芯片供给持续紧张。
“现在不是价格问题，是拿不拿得到货的问题。”一位服务器厂商采购负责人向记者表示。即便二季度传出40%以上的涨幅，下游客户仍普遍接受，因为缺货可能导致整机生产停摆。
市场展望：涨价周期或延续至下半年
历史经验表明，存储市场一旦进入供不应求的涨价周期，持续时间往往超过一年。当前AI带来的存储需求并非短期脉冲，而是结构性转变——从云端训练到边缘推理，对高速、大容量存储的需求正在全方位爆发。
行业研究机构TrendForce最新报告指出，考虑到原厂无意快速扩产、库存水位处于健康水平以下，叠加三季度电子业传统旺季备货需求，此轮存储涨价周期至少延续至2026年第四季度。
受益上市公司梳理
存储芯片涨价潮下，A股及港股相关公司有望受益，主要分为三大类别：
一、存储芯片设计与IDM（垂直整合制造）厂商
兆易创新（603986.SH）作为NOR Flash及DRAM设计龙头，利基型存储直接受益于涨价；北京君正（300223.SZ）专注于车载DRAM及存储芯片，收购ISSI后成为车规级存储重要玩家；东芯股份（688110.SH）覆盖NAND、NOR、DRAM全品类设计，在中低容量存储领域具备国产替代优势；普冉股份（688766.SH）主营非易失性存储芯片，拥有特色的SONOS工艺；恒烁股份（688416.SH）专注于NOR Flash芯片，受益于物联网及AI端侧需求增长。
二、存储模组/封测及分销
江波龙（301308.SZ）拥有自主品牌Lexar及行业类存储模组，在涨价周期中库存价值有望重估；佰维存储（688525.SH）主营存储封测加模组一体化业务，价格弹性较大；朗科科技（300042.SZ）作为闪存盘发明者，业务涵盖模组及专利授权；深科技（000021.SZ）旗下沛顿科技专注存储封测，受益于封测需求提升；香农芯创（300475.SZ）从事电子元器件分销，代理SK海力士等品牌存储芯片。
三、存储产业链设备及材料
中微公司（688012.SH）的刻蚀设备用于3D NAND及DRAM先进制程；北方华创（002371.SZ）提供存储芯片制造的关键国产化设备；华海清科（688120.SH）的CMP（化学机械抛光）设备是存储扩产的核心受益环节；安集科技（688019.SH）生产存储用抛光液及光刻胶去除剂。
注：以上仅为基于行业逻辑的客观梳理，不构成投资建议。存储板块波动较大，投资者需关注原厂实际调价幅度及下游需求变化。
本文不构成投资建议，股市有风险，入市须谨慎。
